Computer Fundamentals — MCQ Practice

Hindi aur English dono mein practice karo — click karo answer check karne ke liye

📚 2941 Questions 🌐 Hindi + English ✅ Free
भाषा / Language:
2941 questions
1621
EN + हिं Medium
GB Cache thrashing (high miss rate) is caused by?
IN कैश थ्रैशिंग (उच्च मिस रेट) किसके कारण होता है?
A
Too much cache बहुत ज्यादा कैश
B
Working set larger than available cache causing frequent evictions उपलब्ध कैश से बड़ा वर्किंग सेट बार-बार निष्कासन का कारण बनता है
C
Fast CPU तेज़ सीपीयू
D
Slow network धीमा नेटवर्क
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) Thrashing occurs when the active working set doesn't fit in cache, causing constant evictions and misses.
व्याख्या (हिन्दी) थ्रैशिंग तब होती है जब सक्रिय कार्य सेट कैश में फिट नहीं होता है, जिससे लगातार निष्कासन और चूक होती है।
1622
EN + हिं Medium
GB Non-temporal store instruction bypasses?
IN गैर-अस्थायी स्टोर अनुदेश बायपास?
A
CPU pipeline सीपीयू पाइपलाइन
B
Cache — writes directly to RAM for large streaming writes कैश - बड़े स्ट्रीमिंग राइट्स के लिए सीधे रैम पर लिखता है
C
Network stack नेटवर्क स्टैक
D
Disk controller डिस्क नियंत्रक
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) Non-temporal (streaming) stores bypass CPU cache, writing directly to memory to avoid polluting cache with streaming data.
व्याख्या (हिन्दी) गैर-अस्थायी (स्ट्रीमिंग) स्टोर सीपीयू कैश को बायपास करते हैं, स्ट्रीमिंग डेटा के साथ कैश को प्रदूषित करने से बचने के लिए सीधे मेमोरी में लिखते हैं।
1623
EN + हिं Medium
GB Prefetching in CPUs attempts to?
IN सीपीयू में प्रीफेचिंग का प्रयास?
A
Delete unused data अप्रयुक्त डेटा हटाएँ
B
Load data into cache before it's needed based on access patterns एक्सेस पैटर्न के आधार पर डेटा को आवश्यकता से पहले कैश में लोड करें
C
Encrypt cache data कैश डेटा एन्क्रिप्ट करें
D
Share cache between cores कोर के बीच कैश साझा करें
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) Hardware prefetchers detect access patterns and preload data into cache to hide memory latency.
व्याख्या (हिन्दी) हार्डवेयर प्रीफ़ेचर्स एक्सेस पैटर्न का पता लगाते हैं और मेमोरी विलंबता को छिपाने के लिए डेटा को कैश में प्रीलोड करते हैं।
1624
EN + हिं Medium
GB Memory bandwidth vs latency: bandwidth measures?
IN मेमोरी बैंडविड्थ बनाम विलंबता: बैंडविड्थ उपाय?
A
Time for one access एक पहुंच के लिए समय
B
Total data transfer rate (GB/s) कुल डेटा अंतरण दर (जीबी/एस)
C
Cache hit ratio कैश हिट अनुपात
D
Clock speed घडी की गति
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) Memory bandwidth (GB/s) is the total data transfer rate; latency is the time delay for a single access.
व्याख्या (हिन्दी) मेमोरी बैंडविड्थ (जीबी/एस) कुल डेटा अंतरण दर है; विलंबता एकल पहुंच के लिए समय की देरी है।
1625
EN + हिं Medium
GB Which memory technology uses phase change (crystalline vs amorphous)?
IN कौन सी मेमोरी तकनीक चरण परिवर्तन (क्रिस्टलीय बनाम अनाकार) का उपयोग करती है?
A
DRAM घूंट
B
SRAM एसआरएएम
C
Phase Change Memory (PCM/3D XPoint) चरण परिवर्तन मेमोरी (पीसीएम/3डी एक्सप्वाइंट)
D
NAND Flash नैंड फ्लैश
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) Phase Change Memory (PCM) stores data by switching materials between crystalline (1) and amorphous (0) phases.
व्याख्या (हिन्दी) फेज़ चेंज मेमोरी (पीसीएम) क्रिस्टलीय (1) और अनाकार (0) चरणों के बीच सामग्री को स्विच करके डेटा संग्रहीत करता है।
1626
EN + हिं Medium
GB Resistive RAM (ReRAM/RRAM) stores data using?
IN प्रतिरोधक RAM (ReRAM/RRAM) किसका उपयोग करके डेटा संग्रहीत करता है?
A
Capacitors संधारित्र
B
Variable resistance of a dielectric material ढांकता हुआ सामग्री का परिवर्तनीय प्रतिरोध
C
Magnetic domains चुंबकीय डोमेन
D
Phase change चरण परिवर्तन
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) ReRAM changes the resistance of a dielectric material between high and low resistance states for data storage.
व्याख्या (हिन्दी) ReRAM डेटा भंडारण के लिए उच्च और निम्न प्रतिरोध स्थितियों के बीच ढांकता हुआ सामग्री के प्रतिरोध को बदलता है।
1627
EN + हिं Medium
GB Magnetoresistive RAM (MRAM) uses?
IN मैग्नेटोरेसिस्टिव RAM (MRAM) का उपयोग होता है?
A
Electric charge बिजली का आवेश
B
Magnetic tunnel junction resistance for non-volatile storage गैर-वाष्पशील भंडारण के लिए चुंबकीय सुरंग जंक्शन प्रतिरोध
C
Phase change चरण परिवर्तन
D
Flash cells फ्लैश सेल
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) MRAM stores data in magnetic tunnel junctions — combining SRAM speed with DRAM density and non-volatility.
व्याख्या (हिन्दी) एमआरएएम चुंबकीय सुरंग जंक्शनों में डेटा संग्रहीत करता है - डीआरएएम घनत्व और गैर-अस्थिरता के साथ एसआरएएम गति का संयोजन।
1628
EN + हिं Medium
GB Ferroelectric RAM (FeRAM) stores data using?
IN फेरोइलेक्ट्रिक रैम (FeRAM) डेटा का उपयोग करके भंडारण करता है?
A
Magnetic fields चुंबकीय क्षेत्र
B
Polarization of ferroelectric material (non-volatile, fast, low power) फेरोइलेक्ट्रिक सामग्री का ध्रुवीकरण (गैर-वाष्पशील, तेज, कम शक्ति)
C
Capacitor charge संधारित्र प्रभार
D
Phase change चरण परिवर्तन
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) FeRAM stores data by polarizing a ferroelectric capacitor — non-volatile with fast write speeds and low power.
व्याख्या (हिन्दी) FeRAM एक फेरोइलेक्ट्रिक कैपेसिटर को ध्रुवीकृत करके डेटा संग्रहीत करता है - तेज लिखने की गति और कम शक्ति के साथ गैर-वाष्पशील।
1629
EN + हिं Hard
GB Compute Express Link (CXL) is?
IN कंप्यूट एक्सप्रेस लिंक (सीएक्सएल) क्या है?
A
A storage protocol एक भंडारण प्रोटोकॉल
B
High-speed interconnect enabling cache-coherent CPU-accelerator-memory communication कैश-सुसंगत सीपीयू-त्वरक-मेमोरी संचार को सक्षम करने वाला हाई-स्पीड इंटरकनेक्ट
C
A display interface एक डिस्प्ले इंटरफ़ेस
D
A network protocol एक नेटवर्क प्रोटोकॉल
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) CXL enables cache-coherent, high-bandwidth communication between CPUs, accelerators (GPUs, FPGAs), and memory.
व्याख्या (हिन्दी) सीएक्सएल सीपीयू, एक्सेलेरेटर (जीपीयू, एफपीजीए) और मेमोरी के बीच कैश-सुसंगत, उच्च-बैंडविड्थ संचार को सक्षम बनाता है।
1630
EN + हिं Medium
GB Die stacking (3D IC) in chip design?
IN चिप डिजाइन में डाई स्टैकिंग (3डी आईसी)?
A
Makes chips flatter चिप्स को चपटा बनाता है
B
Stacks multiple chips vertically with through-silicon vias (TSV) for density घनत्व के लिए थ्रू-सिलिकॉन विअस (टीएसवी) के साथ कई चिप्स को लंबवत रूप से ढेर करता है
C
Reduces chip speed चिप की गति कम कर देता है
D
Is only for storage केवल भंडारण के लिए है
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) 3D IC stacking uses TSVs to connect multiple chip layers vertically, reducing interconnect length and increasing density.
व्याख्या (हिन्दी) 3डी आईसी स्टैकिंग कई चिप परतों को लंबवत रूप से जोड़ने के लिए टीएसवी का उपयोग करती है, जिससे इंटरकनेक्ट की लंबाई कम हो जाती है और घनत्व बढ़ जाता है।
1631
EN + हिं Medium
GB Chiplet design disaggregates?
IN चिपलेट डिज़ाइन अलग-अलग है?
A
Software सॉफ़्टवेयर
B
Monolithic chip into smaller, specialized dies connected via interconnect मोनोलिथिक चिप को छोटे, विशेष डाइज़ में इंटरकनेक्ट के माध्यम से जोड़ा जाता है
C
Network components नेटवर्क घटक
D
Memory from CPU always सीपीयू से हमेशा मेमोरी
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) Chiplets break monolithic SoCs into smaller specialized dies (CPU, GPU, I/O) connected via die-to-die interconnects.
व्याख्या (हिन्दी) चिपलेट्स मोनोलिथिक एसओसी को डाई-टू-डाई इंटरकनेक्ट के माध्यम से जुड़े छोटे विशेष डाई (सीपीयू, जीपीयू, आई/ओ) में तोड़ देते हैं।
1632
EN + हिं Medium
GB AMD EPYC processors use chiplet design with?
IN AMD EPYC प्रोसेसर किसके साथ चिपलेट डिज़ाइन का उपयोग करते हैं?
A
Single monolithic die एकल अखंड मरो
B
Multiple CPU chiplets + I/O die connected via Infinity Fabric मल्टीपल सीपीयू चिपलेट्स + I/O डाई इन्फिनिटी फैब्रिक के माध्यम से जुड़े हुए हैं
C
Two identical dies दो समान मर जाते हैं
D
GPU and CPU chiplets जीपीयू और सीपीयू चिपलेट्स
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) AMD EPYC uses multiple Core Chiplet Dies (CCDs) + I/O Die connected via AMD's Infinity Fabric interconnect.
व्याख्या (हिन्दी) AMD EPYC AMD के इन्फिनिटी फैब्रिक इंटरकनेक्ट के माध्यम से जुड़े मल्टीपल कोर चिपलेट डाइज़ (CCDs) + I/O डाई का उपयोग करता है।
1633
EN + हिं Medium
GB EUV (Extreme Ultraviolet) lithography uses light at wavelength of?
IN EUV (एक्सट्रीम अल्ट्रावॉयलेट) लिथोग्राफी किसकी तरंग दैर्ध्य पर प्रकाश का उपयोग करती है?
A
193 nm 193 एनएम
B
13.5 nm 13.5 एनएम
C
7 nm 7 एनएम
D
248 nm 248 एनएम
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) EUV lithography uses 13.5nm wavelength light to pattern features at sub-10nm nodes (7nm, 5nm, 3nm).
व्याख्या (हिन्दी) ईयूवी लिथोग्राफी उप-10 एनएम नोड्स (7 एनएम, 5 एनएम, 3 एनएम) पर पैटर्न सुविधाओं के लिए 13.5 एनएम तरंग दैर्ध्य प्रकाश का उपयोग करती है।
1634
EN + हिं Medium
GB FinFET transistor structure has?
IN फिनफेट ट्रांजिस्टर संरचना है?
A
Flat channel समतल चैनल
B
Vertical fin-shaped channel for better gate control बेहतर गेट नियंत्रण के लिए लंबवत पंख के आकार का चैनल
C
No gate कोई गेट नहीं
D
Multiple sources कई स्रोत
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) FinFET uses a 3D fin-shaped silicon channel, allowing the gate to control the channel from three sides.
व्याख्या (हिन्दी) फिनफेट एक 3डी पंख के आकार के सिलिकॉन चैनल का उपयोग करता है, जो गेट को तीन तरफ से चैनल को नियंत्रित करने की अनुमति देता है।
1635
EN + हिं Medium
GB GAA (Gate All Around) FET improves on FinFET by?
IN GAA (गेट ऑल अराउंड) FET, FinFET में किसके द्वारा सुधार करता है?
A
Using larger transistors बड़े ट्रांजिस्टर का उपयोग करना
B
Surrounding the channel on all four sides for better control at smaller nodes छोटे नोड्स पर बेहतर नियंत्रण के लिए चैनल को चारों तरफ से घेरना
C
Eliminating the gate गेट को हटाना
D
Using 2D channel 2डी चैनल का उपयोग करना
✅ Correct Answer:
💡 Explanation / व्याख्या
Explanation (English) GAA FETs (nanosheets, nanowires) surround the channel on all four sides for superior electrostatic control at 3nm and below.
व्याख्या (हिन्दी) GAA FET (नैनोशीट, नैनोवायर) 3nm और उससे कम पर बेहतर इलेक्ट्रोस्टैटिक नियंत्रण के लिए चैनल को चारों तरफ से घेरते हैं।
1621–1635 of 2941